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雙金屬復(fù)合耐磨管的電學(xué)性質(zhì)和均勻性時間：2017/11/1 來源：山東鑫隆昌金屬材料有限公司 閱讀：593次
雙金屬復(fù)合耐磨管具有很好的電學(xué)性質(zhì)和均勻性 ,而 PP- SI的均勻性和電學(xué)參數(shù)都很差 .在 IP- SI樣品的 PL譜中出現(xiàn)與深缺陷有關(guān)的熒光峰.光激電流譜的測量結(jié)果表明 :在 IP氣氛下退火獲得的半絕緣磷化銦中的缺陷明顯比 PP- SI磷化銦的要少 .并對退火后磷化銦中形成缺陷的機理進行了探討分析研究了一些缺陷對InP單晶襯底的影響。
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深能級瞬態(tài)譜(DLTS),X射線衍射等方法分別研究了退火前后雙金屬復(fù)合耐磨管材料的性質(zhì)和缺陷.結(jié)果表明受高溫?zé)峒ぐl(fā)作用部分鐵原子由替位轉(zhuǎn)變?yōu)樘钕?導(dǎo)致InP材料缺少深能級補償中心而發(fā)生導(dǎo)電類型轉(zhuǎn)變.通過比較摻雜、擴散和離子注入過程Fe原子的占位和激活情況分析了這一現(xiàn)象的機理和產(chǎn)生原因. 包括雙金屬復(fù)合耐磨管團狀結(jié)構(gòu)位錯的產(chǎn)生及其對晶格完整性的影響,坑狀微缺陷、晶片拋光損傷和殘留雜質(zhì)的清洗腐蝕等.對雙金屬復(fù)合耐磨管缺陷的形成原因和抑制途徑進行了分析.在此基礎(chǔ)上獲得了“開盒即用(EPI-READY)”、具有良好晶格完整性、表面無損傷的InP單晶襯底拋光片.高溫退火后摻鐵半絕緣(SI)InP單晶轉(zhuǎn)變?yōu)閚型低阻材料.利用霍爾效應(yīng)(Hall),熱激電流譜(TSC)。
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